張盼盼，伟德betvictor体育官网特聘研究員，博士生導師。2012年畢業于南開大學微電子學專業，獲理學學士學位；2017年畢業于北京大學物理電子學專業，獲理學博士學位；2017-2021年在新加坡國立大學從事博士後研究；2021-2022年在上海交通大學擔任助理教授，博士生導師, 2022年獲評“上海市領軍人才”；2023年以“托舉人才A類”引進至伟德betvictor体育官网，2023年獲評“唯新學者”。

主要研究方向

 後摩爾微納電子器件-工藝-電路協同設計方法學研究, 包括：（1）器件建模及物理特性研究（TCAD和緊湊模型開發方法），如碳基晶體管、薄膜晶體管和鐵電場效應晶體管等 ；（2）PDK和标準單元庫敏捷開發；（3）模拟集成電路設計等。

另外，本人所在研究團隊（與北京大學電子學院聯合培養，有完善先進的微納加工平台和紮實的學術積累）還包含以下研究方向：

（1）高性能碳基電子器件與集成電路；

（2）高性能碳基生化傳感器及系統集成；

（3）三維集成模拟電路系統；芯片演示系統和規範體系；

（4）碳基射頻芯片與毫米波雷達；

長期招收相關專業碩士、博士研究生和博士後，歡迎感興趣的同學投遞簡曆至tanji_ic@bupt.edu.cn，來信請注明想開展的研究方向。

代表性成果

 近5年代表性成果（#表示第一作者，*表示通訊作者）：

（1）Wenhui Wang, Meishan Zhang, Jun Lan, Jiqing Lu, Mei Shen, Feichi Zhou, Longyang Lin, Panpan Zhang* and Yida Li*. Transport Study of PEALD IGZO TFT at Cryogenic Temperatures down to 6 K. International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA), 2024.

（2）Jia Si*, Panpan Zhang, Zhiyong Zhang*. Roadmap for and technique challenges of carbon nanotube integrated circuit technology. National Science Review, 11:nwad261,2024.

（3）Wenhui Wang^#, Ke Li^#, Jun Lan, Mei Shen, Zhongrui Wang, Xuewei Feng, Hongyu Yu, Kai Chen, Jiamin Li, Feichi Zhou, Longyang Lin*,Panpan Zhang*, Yida Li*. CMOS backend-of-line compatible memory array and logic circuitries enabled by high performance atomic layer deposited ZnO thin-film transistor.Nature Communications 14, 6079 (2023).

（4）Yanxia Lin^#, Yu Cao^#, Sujuan Ding,Panpan Zhang, Lin Xu, Chenchen Liu, Qianlan Hu, Chuanhong Jin, Lian-Mao Peng*, Zhiyong Zhang*. Scaling aligned carbon nanotube transistors to a sub-10 nm node.Nature Electronics 6, 506 (2023).

（5）Pengkun Sun, Nan Wei*,Panpan Zhang, Yingjun Yang, Maguang Zhu, Huiwen Shi, Lian-Mao Peng, Zhiyong Zhang*. How to build good inverters from nanomaterial-based transistors.Nano Research, 1-7 (2023).

（6）Panpan Zhang, Xuewei Feng, and Xuanyao Fong*. Impact of trap profile on the characteristics of 2D MoS2 memtransistors: A simulation study.IEEE Trans. Electron Devices 69, 4750 (2022).

（7）Panpan Zhang, Lin Wang, Kah-Wee Ang, and Xuanyao Fong*. Transition from trap-mediated to band-like transport in polycrystalline monolayer molybdenum disulfide memtransistors.App. Phys. Lett.117, 223101 (2020).

（8）Panpan Zhang, Subhranu Samanta, and Xuanyao Fong*. Physical insights into the mobility enhancement in amorphous InGaZnO thin-film transistor by SiO2 passivation layer.IEEE Trans. Electron Devices 67, 2352 (2020).